DRAM三者有什么区别,RRAM( 四 )


22FFL是Intel结合22nm及14nm FinFET工艺开发的一种改良版工艺,FFL中的L代表Low Leakage,漏电流更低,指标位于两种工艺之间,晶体管密度为1880万晶体管/平方毫米,略好于22nm工艺,但它的优势在于功耗低,成本也低,毕竟22nm工艺量产这么多年了 。22FFL工艺不会用来生产先进处理器了,但它会在别的芯片上找到自己的位置,此前Intel宣布使用22FFL工艺生产了MRAM(磁阻RAM),现在VLSI 2019大会上,Intel又提到了22FFL工艺已经准备好生产RRAM(可变电阻RAM) 。